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          近日，英諾賽科表示業(yè)務(wù)同比2021年增長(zhǎng)了300%，8英寸硅基GaN器件出貨量已突破1億顆。

           值得注意的是，2023年出貨量增勢(shì)迅猛，Q1就已經(jīng)突破了5000萬顆（累計(jì)超1.5億顆），銷售額達(dá)1.5億，是去年同期的4倍。這意味著，無論從出貨量還是銷售收入來看，今年英諾賽科不僅延續(xù)了2022年持續(xù)增長(zhǎng)的態(tài)勢(shì)，還實(shí)現(xiàn)了更為強(qiáng)勁的增長(zhǎng)。

          GaN器件目前被稱為HEMT (High Electron Mobility Transistors)，這種高電子遷移率的晶體管用于許多電子設(shè)備中，例如全控型電力開關(guān)，高頻的放大器或振蕩器。

           另外，在電動(dòng)汽車應(yīng)用領(lǐng)域，英諾賽科珠海工廠已通過汽車認(rèn)證，預(yù)計(jì)將在2024年生產(chǎn)用于汽車應(yīng)用的8英寸硅基GaN器件。目前，珠海工廠GaN晶圓月產(chǎn)能為4000片，到2025年，珠海和蘇州兩大基地的月產(chǎn)能預(yù)計(jì)可達(dá)70000片左右。

           接下來，隨著GaN技術(shù)逐步打開電動(dòng)汽車、光伏儲(chǔ)能、智能電網(wǎng)、工業(yè)電源等領(lǐng)域的應(yīng)用空間，英諾賽科將在產(chǎn)能規(guī)模、客戶群不斷擴(kuò)大的基礎(chǔ)上，進(jìn)一步提升產(chǎn)品銷量和市場(chǎng)占有率。