近日，全球首次實現(xiàn)垂直堆疊12個單品DRAM芯片，SK 海力士成功開發(fā)出最高容量24GB的HBM3 DRAM新產(chǎn)品，目前正在向客戶提供樣品，并進行性能評估。
HBM 全稱 high bandwidth memory，新型 CPU / GPU 內(nèi)存芯片，將多個 DDR 芯片堆疊在一起后和 GPU 封裝在一起，實現(xiàn)大容量，高位寬的 DDR 組合陣列。
HBM 是 SK 海力士在 2013 年首次開發(fā)出來的一種內(nèi)存，由于它在實現(xiàn)運行在高性能計算（HPC）系統(tǒng)中的生成型 AI 中起著至關(guān)重要的作用，因此受到了內(nèi)存芯片行業(yè)的廣泛關(guān)注。最新的 HBM3 標準尤其被認為是快速處理大量數(shù)據(jù)的理想產(chǎn)品，因此其被全球主要科技公司采用的情況越來越多。
近年來，AI 服務(wù)器出貨動能強勁帶動 HBM 需求提升，SK 海力士以全球頂級后端工藝技術(shù)力為基礎(chǔ)，接連開發(fā)出了超高速、高容量的HBM DRAM產(chǎn)品。將在今年上半年內(nèi)完成新產(chǎn)品的量產(chǎn)準備，以鞏固人工智能時代尖端DRAM市場的主導(dǎo)權(quán)。
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