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          頂點(diǎn)光電子商城2024年2月22日消息：近日，SK海力士計(jì)劃于3月份開(kāi)始大規(guī)模量產(chǎn)HBM3E。

          HBM3E是SK海力士旗下第五代高帶寬內(nèi)存產(chǎn)品，這款基于3D堆棧工藝的高性能DRAM產(chǎn)品旨在打破內(nèi)存帶寬及功耗瓶頸，以滿(mǎn)足市場(chǎng)對(duì)高性能內(nèi)存不斷增長(zhǎng)的需求。

          去年8月，SK海力士宣布成功開(kāi)發(fā)出HBM3E，并開(kāi)始向客戶(hù)提供樣品進(jìn)行性能驗(yàn)證。經(jīng)過(guò)半導(dǎo)體產(chǎn)品開(kāi)發(fā)的九個(gè)階段后，SK海力士于今年1月中旬正式結(jié)束了HBM3E的開(kāi)發(fā)工作，并完成了英偉達(dá)歷時(shí)半年的性能評(píng)估。

          因此，SK海力士計(jì)劃在3月份開(kāi)始大規(guī)模生產(chǎn)HBM3E，并計(jì)劃在下個(gè)月向英偉達(dá)供應(yīng)首批產(chǎn)品。

           據(jù)報(bào)道，這批HBM3E將用于NVIDIA下一代Blackwell系列AI芯片旗艦產(chǎn)品B100上。NVIDIA計(jì)劃于2024年第二季度末或第三季度初推出這一系列產(chǎn)品。鑒于NVIDIA在AI GPU市場(chǎng)占據(jù)超過(guò)90%的市場(chǎng)份額，而SK海力士在全球HBM市場(chǎng)擁有超過(guò)一半的份額，并完全壟斷了128GB DDR5這類(lèi)大容量DRAM產(chǎn)品市場(chǎng)，雙方的合作被市場(chǎng)普遍看好，預(yù)計(jì)將推動(dòng)AI芯片市場(chǎng)的進(jìn)一步發(fā)展。