頂點光電子商城6月20日消息：為更好的推動國內(nèi)功率與光電半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的技術(shù)、產(chǎn)業(yè)交流與合作，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)微媒體擬于7月26-28日西安舉辦“功率與光電半導(dǎo)體器件設(shè)計及集成應(yīng)用論壇”。
隨著硅半導(dǎo)體材料主導(dǎo)的摩爾定律逐漸走向其物理極限，以第三代半導(dǎo)體為代表的化合物半導(dǎo)體滿足光電子、微波射頻和高效功率電子等新需求的快速發(fā)展，在全球信息化發(fā)展及可持續(xù)電氣化轉(zhuǎn)型中發(fā)揮著至關(guān)重要的作用。功率芯片將大幅提升特高壓柔性電網(wǎng)、高速列車、新能源汽車、工業(yè)電機(jī)、智能制造等新興產(chǎn)業(yè)的能源利用效率和智能化水平，滿足綠色發(fā)展、智能制造等國家重大戰(zhàn)略需求，對新興產(chǎn)業(yè)的帶動面廣、拉動性強(qiáng)。
光電子領(lǐng)域填補(bǔ)了深紫外-可見光-近紅外波段半導(dǎo)體光電子技術(shù)的空白，開啟了白光照明、超越照明、全色LED顯示和固態(tài)紫外光源及探測的新紀(jì)元。以金剛石、氧化鎵、氮化硼為代表的超寬禁帶半導(dǎo)體材料，因其禁帶寬度、化學(xué)穩(wěn)定性、擊穿場強(qiáng)等材料關(guān)鍵性質(zhì)均為所有半導(dǎo)體中最高值，成為國際半導(dǎo)體領(lǐng)域的研究熱點。
本次會議將圍繞光電子器件與功率半導(dǎo)體器件設(shè)計、測試評價及應(yīng)用等主題，邀請產(chǎn)業(yè)鏈相關(guān)專家、高?？蒲性核爸髽I(yè)代表共同深入探討，追蹤最新技術(shù)進(jìn)展，分享前沿研究成果，攜手促進(jìn)國內(nèi)功率與光電半導(dǎo)體器件技術(shù)與應(yīng)用發(fā)展。
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