頂點光電子商城2022年9月5消息：近日，晶盛機電在電話會議上表示，公司已成功生長出行業領先的8英寸碳化硅晶體，并建設了6英寸碳化硅晶體生長、切片、拋光環節的研發實驗線。
SiC器件的成本主要由襯底、外延、流片和封測等環節形成，襯底在SiC器件成本中占比高達~45%。為了降低單個器件的成本，進一步擴大SiC襯底尺寸，在單個襯底上增加器件的數量是降低成本的主要途徑。8英寸SiC襯底將比6英寸在成本降低上具有明顯優勢。
SiC器件具有耐高溫、耐高壓、高頻特性好、轉化效率高、體積小和重量輕等優點，被廣泛應用于新能源汽車、軌道交通、光伏、5G通訊等領域。此次研發成功的8英寸SiC晶體，是晶盛在大尺寸SiC晶體研發上取得的重大突破，為大尺寸SiC襯底廣泛應用打下基礎。
晶盛機電創建于2006年12月，是國內領先的半導體材料裝備和化合物半導體襯底材料制造的高新技術企業，以“打造半導體材料裝備領先企業，發展綠色智能高科技制造產業”為使命。目前已形成以光伏半導體裝備、藍寶石材料、碳化硅裝備及材料三條業務布局。碳化硅方面，公司的產品主要有碳化硅長晶、拋光、外延設備以及6英寸導電型碳化硅襯底片，同時公司已建設6英寸碳化硅晶體生長、切片、拋光環節的研發實驗線，研發產品已通過下游部分客戶驗證。
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