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       根據(jù)外媒的報道，三星電子將加快3D DRAM的研究速度，這家半導體巨頭在近日，已經(jīng)開始加強相關(guān)的工作環(huán)節(jié)，例如招聘員工。

       根據(jù)之前的報道，三星就已經(jīng)提出了一種新的增加DRAM性能的方法，傳統(tǒng)上的DRAM是將晶體管和電容器在一個平面上進行排列，那么這就是為什么三星電子會在DRAM的前面加上3D。

       3D顧名思義，是一個立體的空間，他并不是局限在一個平面上的空間，而三星電子則是通過晶體管和電容器擺脫平面空間的束縛，除了利用平面空間的面積以外，還要垂直延伸，利用垂直的面積搭建晶體管。

       三星這種方法，被業(yè)內(nèi)稱為“堆棧”，而傳統(tǒng)的方法，被稱為“溝槽”，時至今日仍有許多半導體大廠依然在使用這樣的制造方法，例如：日本的東芝、美國的IBM等。

       三星使用這種3D方法，是因為傳統(tǒng)意義上的DRAM已經(jīng)處于一個性能的瓶頸，提高密度已經(jīng)變成了一件十分困難的事情，三星這種方法便是為了突破這種瓶頸，希望能夠再次提高DRAM的性能上限。

       根據(jù)業(yè)內(nèi)推斷，依照目前的情形來看，3D DRAM將會在2025年面世。